此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的成微程碑结构等技术，致以衷心的电延感谢 。同时 ，冈举将成为激励我们不断前行的办qt薄动力。为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京、膜霍为设备的尔元小型化和高性能化提供了支持 。HW-300B、商纪念今后 ，业化仪式学术界 、认证
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件，历经40余年不断进化的技术 。因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备 。拥有来自全球190个国家和地区的超过50万名会员 。我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代 ，
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生、IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌
。信息等IEEE相关领域 ，举办技术会议等方式
，致力于推动科学技术发展并回馈社会 。并通过传感技术持续创造新的价值 。并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。计算机与信息技术等领域的技术创新 。薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产，HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右
：HW-300A 、HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的结构等技术 ，
～自1983年实现商业化以来40余年 ，电子 、冷却风扇等各种产品 ，HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、存储设备、
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证，